Intel mostra como um processador de 10 nm vai "da areia ao silício"

Após postar um vídeo em fevereiro descrevendo a jornada que um chip leva do conceito ao cliente, a Intel postou outro vídeo oferecendo uma visão geral do processo de fabricação. O vídeo foi postado pela Intel no início deste mês e vale a pena assistir, especialmente devido à abundância de problemas da Intel com a arquitetura de um processador de 10 nm.

Intel mostra como um processador de 10 nm vai “da areia ao silício”

A arte sutil de dar um cérebro a um monte de areia é bem complicada. Como você viu no vídeo, um chip viaja “centenas de quilômetros” ao longo das linhas automatizadas da Intel, conforme passa de uma ferramenta para outra. Um processador (ou melhor, wafer) passa por mais de 1.000 etapas construindo e formando transistores antes de partir para a embalagem.

A Intel repassa brevemente algumas das tecnologias subjacentes ao seu processo FinFET, como a formação Gate-Last e High-K Metal Gate. Além disso, há uma seção que menciona a tecnologia COAG (contato por porta ativa) da Intel, que há rumores de ter sido um fator contribuinte nos problemas da Intel com a produção de 10 nm.

Mais detalhes sobre o processo de 10 nm

Por fim, o vídeo vai para a parte em que dezenas de fios interconectados são adicionados para completar o circuito. Para simplificar muito as coisas, a resistência aumenta à medida que os transistores diminuem de tamanho. Além disso, o dimensionamento dos fios para os transistores apresenta outros problemas, como a eletromigração. Para combater isso, a Intel se afastou da fiação de cobre e escolheu o cobalto para interconexões.