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As baterias são muito importantes em qualquer dispositivo que ofereça mobilidade. E elas têm sido desenvolvidas para nos dar cada vez mais tempo conectados, sem precisar de uma tomada. Mas, os outros componentes dos nossos smartphones, por exemplo, a engolem em tem muito curto. Pensando nisso, a Samsung e a IBM se uniram para desenvolverem uma tecnologia que faça com que as baterias dos smartphones durem pelo menos uma semana.
Em vez de trabalhar em uma capacidade de bateria maior, o que daria, no máximo poucas horas a mais de carga, as empresas resolveram mudar a estratégia. Samsung e IBM trabalham em um novo tipo de arquitetura de chip que pode reduzir o consumo de energia em até 85%.
Quando pronta, essa nova tecnologia pode ajudar efetivamente os smartphones nas últimas semanas com uma única carga e é chamada de transistor de efeito de campo de nanofolha de transporte vertical (VTFET).
Tecnologia dos chips atuais que “engolem” a carga das baterias X nova tecnologia em desenvolvimento pela Samsung e IBM
A maioria dos chips modernos são baseados em transistores de efeito de campo de transporte lateral (finFET), o que significa que os transistores dentro dos chips são arranjados em uma superfície plana semelhante a um wafer, sinal viaja para frente e para trás em uma maneira 2D, em outras palavras.
O novo design do VTFET apenas pega esse design e o expande na direção vertical, colocando transistores um sobre o outro, a IBM e a Samsung foram capazes de contornar certas limitações no design convencional. Ou seja, oferecer melhor tamanho e superfície de contato e otimizar o comprimento da porta dos transistores.
Assim, esse novo design pode ser otimizado de duas maneiras diferentes, onde o desempenho estaria mais ou menos no mesmo nível das arquiteturas ARM modernas. No entanto, devido ao aumento da eficiência, essa abordagem geraria um aumento de até 85% na vida útil da bateria.
A outra abordagem seria aumentar o desempenho do chip, correspondendo ao consumo de energia dos designs planos modernos. Seguir essa rota proporcionaria um aumento de 100% no desempenho, em comparação com as alternativas modernas de FET.
Benefícios dessa nova tecnologia
As aplicações potenciais deste novo projeto de transistor são infinitas, aponta o PhoneArena. Além de permitir que as baterias do smartphone durem até uma semana inteira, o design do VTFET poderia cortar a energia usada para minerar a criptografia e, devido ao hype em torno da tecnologia blockchain, isso poderia ser enorme.
Outro campo que beneficiaria enormemente os novos designs é a IoT, permitindo dispositivos ainda mais minúsculos que podem funcionar por meses. O novo design do VTFET também se alinha com os esforços da IBM para reduzir a pegada de transistores e chips em geral.
A tecnologia não passa de um protótipo nesse momento e, provavelmente, estamos muito longe de ver esse design em produtos eletrônicos de consumo. No entanto, o primeiro passo está sendo dado e devemmos ver a tecnologia chegar aos smartphones do futuro.
Via: PhoneArena