A TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) fez um grande avanço no desenvolvimento de seu processo de fabricação de 2 nm. A empresa estabeleceu uma equipe de pesquisa e desenvolvimento no ano passado para identificar um caminho de desenvolvimento para seu processo de fabricação de 2 nm.
Fontes afirmam que a TSMC decidiu por uma nova arquitetura de transistor de efeito de campo de canal de várias pontes (MBCFET); que aparentemente resolve os limites físicos associados ao uso do FinFET.
TSMC pode ter processo de 2 nm pronto para produção em massa em 2024
O número de transistores em um circuito integrado praticamente dobrou a cada dois anos ou mais desde o início dos anos 1970, conforme observado pela lei de Moore. Todavia, a lei de Moore vai acabar, pois será simplesmente impossível encolher ainda mais o hardware.
Além disso, a TSMC disse anteriormente que sua P&D e produção de 2 nm ocorreriam em Baoshan (China) e Hsinchu, que fica em Taiwan. A empresa observou ainda que está planejando ter quatro fábricas de wafer ultra-grandes cobrindo mais de 89 hectares.
Fontes dizem que a empresa está otimista de que pode atingir um rendimento de produção experimental de risco de pelo menos 90% no segundo semestre de 2023 antes da produção em massa em 2024. Não está claro se a pandemia em curso terá impacto neste cronograma.
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