A TSMC planeja iniciar a produção da versão aprimorada de 3 nm plus em 2023 (a Apple será a primeira cliente). Se as regras de nomenclatura da Apple permanecerem inalteradas, o processador A17 em 2023 deve ser usado no iPhone 15.
De acordo com declarações anteriores, 3 nm alcançará 15% de melhoria de desempenho, 30% de redução do consumo de energia e 70% de aumento de densidade.
TSMC planeja iniciar a produção de 3 nm plus em 2023
O 3 nm da TSMC ainda usa transistores de efeito de campo do tipo FinFET, enquanto o 3 nm da Samsung usa a abordagem mais avançada de transistor de porta surround GAA.
A TSMC acredita que o processo FinFET atual é melhor em termos de custo e eficiência energética. Portanto, o primeiro conjunto de chips de 3 nm ainda usará a tecnologia de transistor FinFET.
No entanto, a Samsung, um antigo rival da TSMC, eliminará os transistores FinFET e usará diretamente o GAA para os transistores.
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Em abril, a TSMC revelou alguns detalhes do processo de 3 nm. A densidade do transistor cria um novo recorde: 250 milhões/mm². Para referência, o Kirin 990 5G com processo EUV de 7 nm da TSMC tem um tamanho de 113,31 mm², uma densidade de transistor de 10,3 bilhões, uma média de 90 milhões/mm².
No entanto, a densidade do transistor do processo de 3 nm é 3,6 vezes maior do que a do processo de 7 nm. Essa densidade é visualmente comparada à redução do processador Pentium 4 ao tamanho de uma agulha!
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