Pesquisa promete memórias mais rápidas

Pesquisa promete memórias mais rápidas e potencialmente mais compactas em artigo do IMEC. Quando fabricantes de chips anunciam a conquista de empacotar mais circuitos dentro de um único chip, geralmente, é um transistor com porta menor que ganha toda a atenção no mundo da nanotecnologia.

Porém, além de diminuir o tamanho de semicondutor ativo, é necessário também rearranjar as trilhas e interconexões para comportar os componentes reduzidos. Um dos grandes problemas nessa parte é que está cada vez mais difícil fazer esse processo sem diminuir a eficiência.

Porém, pesquisadores do IMEC, Bélgica, conseguiram elaborar um esquema capaz de permitir essa compactação e, por consequência, empacotar mais transistores sem perder a eficiência. A compactação das memórias é mais impactante nas SRAMs, portanto, foi com esses circuitos que os testes foram feitos.

Para compreender tal conquista, é importante antes ter uma breve noção de como são fabricados esses circuitos integrados (ou CIs).

Como as Memórias Ficaram Mais Rápidas?

Os chips são construídos da seguinte forma: pega-se uma pastilha de silício e constroem-se os componentes necessários (incluindo transistores) nela. Depois, são adicionadas camadas de interconexões em cima deles com o intuito de conectá-los. Um agrupamento de chips, por sua vez, fica em uma wafer de silício, conforme imagem abaixo:

O trabalho dos pesquisadores foi retirar as interconexões que alimentam a SRAM e enterrá-las no próprio silício. Com esse espaço liberado, a equipe aumentou as interconexões e, como consequência baseada na Lei de Ohm, diminuiu a resistência e a potência dissipada. É importante destacar que esse aumento não comprometeu todo o espaço liberado pelas interconexões enterradas, sendo possível compactar os chips.