A Samsung deve entregar um processo de fabricação de silício de 3 nm no ano de 2022, com muitas melhorias na tecnologia de transistores. Sabe-se que a Samsung está trabalhando na tecnologia Gate-All-Around FET que trará um controle muito melhor do canal do transistor. Dessa maneira, agora a Samsung detalhou sua tecnologia FET do Multi … Continue lendo Samsung lançará chips com tecnologia de 3 nm em 2022