A Samsung deve entregar um processo de fabricação de silício de 3 nm no ano de 2022, com muitas melhorias na tecnologia de transistores.
Sabe-se que a Samsung está trabalhando na tecnologia Gate-All-Around FET que trará um controle muito melhor do canal do transistor. Dessa maneira, agora a Samsung detalhou sua tecnologia FET do Multi Bridge Channel para o processo de fabricação de 3 nm (MBCFET).
Samsung lançará chips com tecnologia de 3 nm em 2022
De acordo com o site técnico alemão Hardwareluxx, o MCBFET faz parte dos GAAFETs, o que significa que o GAAFET não é um produto, mas uma classe de produtos diferentes. A Samsung diz que a tecnologia consumirá 50% menos energia e, ao mesmo tempo, oferecerá 30% a mais de desempenho. Além disso, haverá um grande ganho de densidade, onde a Samsung prevê que haverá cerca de 45% menos espaço de silício ocupado por um transistor.
As comparações são contra um processo não especificado de 7 nm, mas é provável que seja da Samsung, que usa FinFETs. A tecnologia permite o empilhamento de transistores uns sobre os outros, o que faz com que eles uses inerentemente menos espaço em comparação com o FinFET padrão.
Os transistores MCBFET GAA tornam sua largura de transistor flexível. Isso significa que o transistor empilhado em geral pode ser tão largo quanto o projetista gosta e ajustado para baixa potência ou alto desempenho.
Todos os principais fabricantes de semicondutores estão trabalhando em transistores GAA. Na Samsung, agora são chamados de MBCFET. A Intel ainda não tem nome para sua próxima geração de transistores 3D.
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