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17/07/2020 às 15:15

4 min leitura

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Por Leonardo Santana

TSMC revelou alguns detalhes de seu processo de 3 nm!

A TSMC produz em massa o processo de 7 nm há dois anos e este ano produzirá em massa o processo de 5 nm. Huawei e Apple já encomendaram a maior parte da capacidade de produção de 5 nm. Agora, o processo de 3 nm da TSMC também está dentro do cronograma. Quanto à produção em massa, está prevista para o segundo semestre de 2021.

Além disso, a TSMC revelou os indicadores técnicos do processo de 3 nm. Comparado com o processo de 5 nm, a densidade do transistor do processo de 3 nm é aumentada em 15%. Ainda mais, o desempenho aumentou de 10 a 15%, enquanto a eficiência energética aumentou de 20 a 25%.

TSMC revelou alguns detalhes de seu processo de 3 nm

Em relatórios anteriores, havia rumores de que a TSMC abandonaria o processo FinFET e passaria para os transistores de porta surround GAA. No entanto, relatórios recentes mostram que a TSMC desenvolveu com êxito o processo de 2 nm usando a tecnologia de transistor GAA. Isso significa que o nó de 3 nm também usará o tradicional processo FinFET.

TSMC revelou alguns detalhes de seu processo de 3 nm!

A TSMC produz em massa o processo de 7 nm há dois anos e este ano produzirá em massa o processo de 5 nm.

Segundo relatos da mídia, a TSMC lançará os chips Apple A16 para iPhone e iPad conforme programado. O chip usará o processo de 3 nm.

O primeiro chip de 5 nm da TSMC para a Qualcomm será o Snapdragon 875 (este processador já está em produção em massa). Diz-se que o processador tem uma inovação em núcleos com uma combinação 1 + 3 + 4, onde o núcleo único será o super-núcleo Cortex X1 da ARM.

A Samsung (rival da TSMC) anunciou que também usará o GAA-FET e pulará os 4 nm e desenvolverá o processo de 3 nm em uma tentativa de acompanhar a TSMC. Assim, o avanço de 2 nm da TSMC definitivamente não é uma boa notícia para a Samsung.

Fonte: Gizchina

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Profissional da área de manutenção e redes, astrônomo amador, eletrotécnico e apaixonado por TI desde o século passado.

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